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半导体工艺发展
《炬丰科技-半导体工艺》氢氧化钾和TMAH中出现不同的凹陷轮廓的详细研究
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:氢氧化钾和TMAH中出现不同的凹陷轮廓的详细研究 编号:JFKJ-21-1695 作者:华林科纳 引言 在湿法各向异性蚀刻中,底切凸角的蚀刻轮廓取决于蚀刻剂的类型。已经进行了大量的研究来解释这种凸角底切并确定底
时间:2023-09-07 | 阅读:15
《炬丰科技-半导体工艺》用于化合物半导体应用的绝缘体上硅衬底
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:用于化合物半导体应用的绝缘体上硅衬底 编号:JFKJ-21-1170 作者:华林科纳 硅对绝缘体(SOI)是在硅晶体管工业中发展起来的,以降低集成电路中的寄生电容。随着技术的发展,更多的应用和器件结构受益
时间:2023-09-07 | 阅读:13
《炬丰科技-半导体工艺》IC 制造中的 HF 浓度控制
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:IC 制造中的 HF 浓度控制 编号:JFKJ-21-774 作者:炬丰科技 摘要 硅表面蚀刻二氧化硅层是湿法加工技术中最关键的步骤之一。尽管已经进行了大量的研究来分析这些过程的机理和动力学,但是很少注意监测和控
时间:2023-09-05 | 阅读:100
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