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《炬丰科技-半导体工艺》化学湿法生长GaN基发光二极管的研究
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:化学湿法生长GaN基发光二极管的研究 编号:JFKJ-21-987 作者:炬丰科技 引言 氮化镓发光二极管是异质外延生长在不同的衬底上,如蓝宝石和碳化硅,因为生长块状氮化镓有困难。蓝宝石是最常用的衬底&
时间:2023-09-07 | 阅读:12
《炬丰科技-半导体工艺》利用超临界二氧化碳对MEMS进行刻蚀、冲洗和干燥
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:利用超临界二氧化碳对MEMS进行刻蚀、冲洗和干燥 编号:JFKJ-21-1675 作者:华林科纳 引言 利用现有的超临界二氧化碳进行蚀刻和干燥的工艺由两阶段工艺组成:在高压干燥器外部利用溶剂对晶片进行蚀刻,然后
时间:2023-09-07 | 阅读:12
《炬丰科技-半导体工艺》IC 制造中的 HF 浓度控制
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》 文章:IC 制造中的 HF 浓度控制 编号:JFKJ-21-774 作者:炬丰科技 摘要 硅表面蚀刻二氧化硅层是湿法加工技术中最关键的步骤之一。尽管已经进行了大量的研究来分析这些过程的机理和动力学,但是很少注意监测和控
时间:2023-09-05 | 阅读:100
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